就存儲器產(chǎn)業(yè)而言，要想發(fā)展壯大，在國際市場中發(fā)揮影響力，先進(jìn)的工藝技術(shù)、知識產(chǎn)權(quán)和大規(guī)模量產(chǎn)能力都是必要條件。而這些條件至少需要10年時間或許才能形成。由此可見，存儲器產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入門檻相當(dāng)高。中國存儲芯片仍有很長一段路要走。

首先，自主創(chuàng)新是成敗的關(guān)鍵所在。作為后進(jìn)者，盡管中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，特別是在初期階段，需要國家的大力支持。但是政府的力量只能是協(xié)助，而不能成為依賴。自立自強(qiáng)始終是企業(yè)成敗的關(guān)鍵，這是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)幾十年發(fā)展得出的經(jīng)驗(yàn)。

其次，國家的支持必不可少。從美國、日本、韓國的經(jīng)驗(yàn)可以看出，存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，政府都發(fā)揮了重要作用。比如日本通產(chǎn)省牽頭組建“VLSI聯(lián)合研發(fā)體”，對存儲芯片技術(shù)的開發(fā)，比如韓國公司在韓國國有銀行支持下，以低廉的資金成本，采用最新的技術(shù)大量建廠，通過規(guī)?；档统杀?，進(jìn)行“反周期投資”擠壓對手。中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也離不開國家的支持，在戰(zhàn)略層面，整合各方資源，從資金、人才給予支持，以求在技術(shù)工藝上盡快實(shí)現(xiàn)突破。同時也要注意，國家支持不能代替企業(yè)行為，任何決策都要以市場為依據(jù)。

第三，存儲產(chǎn)業(yè)由IDM廠商主導(dǎo)這是行業(yè)的大趨勢。目前，行業(yè)內(nèi)對于存儲芯片發(fā)展模式仍存有一定討論。IDM是主流的存儲企業(yè)發(fā)展模式。三星、SK海力士、美光等無一例外都是IDM廠商，都有自己的晶圓制造廠與封測廠，產(chǎn)業(yè)布局相當(dāng)完善，而且整個存儲產(chǎn)業(yè)中幾乎沒有獨(dú)立的Fabless廠商。這是因?yàn)榇鎯ζ魇歉叨葮?biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)品，難度是提升存儲密度。制造難度在于設(shè)計者與制造者之間的協(xié)高和交流必須十分頻繁，且存儲企業(yè)往往需要嚴(yán)格把控核心技術(shù)，代工模式很難做到這一點(diǎn)。此外，隨著工藝技術(shù)水平的提升，存儲芯片生產(chǎn)線的建廠成本呈指數(shù)級增長，新工藝的研發(fā)需要大量的人力和財力支持。IDM企業(yè)所得利潤比分工模式更集中。

第四，應(yīng)當(dāng)建立本土的分析市場機(jī)構(gòu)。從歷史發(fā)展經(jīng)驗(yàn)來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè)。行業(yè)處于上行周期時，各廠商不斷引入新工藝縮小產(chǎn)品尺寸，并擴(kuò)廠增加產(chǎn)能。而處于行業(yè)下行周期時，各廠則不斷降價出貨以努力維持市場份額，廠商擴(kuò)張產(chǎn)能，技術(shù)迭代等因素導(dǎo)致市場供應(yīng)出現(xiàn)劇烈波動，造成市場特殊的周期性風(fēng)暴。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰(zhàn)略的大背景下，考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動和不確定性，以及長期大投入、高風(fēng)險特性，因此，應(yīng)當(dāng)盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測分析和預(yù)警機(jī)制，無論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面，都是一件非常有意義的事情。