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在進(jìn)入深亞微米以后，存儲(chǔ)芯片的node和邏輯芯片的node已經(jīng)不是一個(gè)概念了。很久以前 芯片的node是用half pitch/柵極長(zhǎng)度來(lái)定的，比如intel 0.5 μm 工藝的Lg= 0.5 μm， 它的half pitch也是是 0.5 μm，這兩個(gè)數(shù)值是一致的，這個(gè)對(duì)于存儲(chǔ)芯片也一樣。但是到了1997年，這兩個(gè)數(shù)值開(kāi)始偏離的，因?yàn)閕ntel開(kāi)始追求更小的柵極長(zhǎng)度而不是更高密度的芯片（柵極長(zhǎng)度決定芯片的速度）比如Intel的0.18的制程對(duì)應(yīng)的half pitch其實(shí) 230nm。但是存儲(chǔ)芯片還是在追求更高密度的集成度，所以half pitch還是memory追求的目標(biāo)。
到了FINFET時(shí)代，node的概念就更混亂了，簡(jiǎn)直是一個(gè)數(shù)字各自表述。不過(guò)基本上intel22nm=TSMC16nm=SAMSUNG14nm，看上去只有Intel的數(shù)字比較靠譜，其他廠的水分都太高了
在儲(chǔ)存芯片方面，相對(duì)簡(jiǎn)單一點(diǎn)，不過(guò)最小pitch的定義各廠也略有不同，micron是用word line的pitch, 韓系廠則是用active的pitch. 不過(guò)最簡(jiǎn)單的還是看DRAM的容量
最后再解釋一下為什么定義half pitch比單純追求柵極長(zhǎng)度的最小要難：對(duì)于光學(xué)成像的光刻技術(shù)，最小的分辨率是在于解析兩個(gè)最小間距的圖形的能力。也就是說(shuō)做一個(gè)圖形，再小都可以做到，但是要把兩個(gè)最小圖形區(qū)分開(kāi)來(lái)才是光刻的極限。道理跟光學(xué)上的瑞利判據(jù)是一個(gè)道理，所以存儲(chǔ)芯片的14nm就要比邏輯芯片的14nm的難度高。不過(guò)這是純粹從光學(xué)角度上來(lái)說(shuō)的，其實(shí)存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)和良率要求與邏輯芯片差異很大，所以綜合難度（defect, OPC）上來(lái)說(shuō)其實(shí)差不多的, 所以現(xiàn)階段半導(dǎo)體的最高水平還是以邏輯芯片為指標(biāo)的，看intel, Samsung 和TSMC拼的你是我活就知道了
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